|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 447 van 871 gevonden artikelen
| Titel: |
Ion channeling study of radiation induced defects in a bent silicon crystal |
| Auteur: |
Wang, G.H. Cong, P.J. Gibson, W.M. Sun, C.R. Kim, I.J. Salman, S. Pisharody, M. Baker, S.I. Carrigan Jr, R.A. Forster, J.S. Mitchell, I.V. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research |
| Paginering: | Jaargang 218 (1983) nr. 1-3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1983 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 447 van 871 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |